بررسی الکترواپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

نویسندگان

حامد نجفی آشتیانی

h najafi ashtiani department of physics, velayat university, iranshahr, iranگروه فیزیک، دانشگاه ولایت، ایرانشهر محمد سعید هادوی

m hadavi . department of physics, university of sistan & balouchestan, zahedan, iranگروه فیزیک، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان

چکیده

در این مطالعه لایه­های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلأ در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف sno2:f جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفته­اند. همچنین این لایه­ها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس بازپخت شدند. ضرایب شکست و خاموشی و نوع گذار این لایه­ها در محدوده نور مرئی در ضخامت 200 نانومتر تعیین و اندازه­گیری شده­اند. همچنین طرح الگوی پراش اشعه x و تصویر sem و چرخه ولتامتری لایه­ها نیز مورد مطالعه قرار گرفته­اند. نتایج این مطالعه با توجه به نوع لایه نشانی، ضخامت انتخاب شده لایه­ها، نوع زیرلایه انتخابی، بازه دماهای بازپخت و الکترولیت انتخاب شده، در تطابق کامل با کار دیگر محققین است. بنابراین، این لایه­ها با دارا بودن خصوصیاتی نظیر ساختار بلوری، ضرایب شکست و خاموشی یکنواخت در محدوده نور مرئی، پاسخ دهی مناسب کرومیکی در تکرار سوئیچ­های پتانسیلی، چسبندگی خوب به زیرلایه، و میزان درصد عبور اپتیکی بالا، بکارگیری در یک قطعه الکترکرومیک کامل را پیشنهاد می­کنند

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی الکترواپتیکی لایه‌های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

In this study, tungsten oxide and vanadium oxide electrochromic thin films were placed in vacuum and in a thickness of 200 nm on a transparent conductive substrate of SnO2:F using the physical method of thermal evaporation. Then they were studied for the optical characteristics in the wavelength range from 400 to 700 nm and for their electrical potentials in the range form +1.5 to -1.5 volts. T...

متن کامل

لایه نشانی و مشخصه یابی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک نانوساختار اکسید تنگستن (wo3) با ناخالصی وانادیوم

در این تحقیق لایه های نازک سیستم دوتایی اکسید تنگستن – اکسید وانادیوم بر روی بسترهای شیشه ای به روش شیمیایی اسپری پایرولیزیز تهیه شدند. اثر ناخالصی وانادیوم، دمای بستر و فرایند بازپخت بر روی خواص ساختاری، مورفولوژی سطحی و خواص اپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن بررسی شد. آنالیز xrdنشان داد که لایه ها قبل از بازپخت ساختاری آمورف دارند. فرایند بازپخت باعث بهبود نظم بلوری لایه ها می شود و لایه ها ب...

15 صفحه اول

بهبود رفتار ترشوندگی سل حاوی تنگستن برای تهیه لایه‌های نازک اکسید تنگستن

در این کار لایه�های اکسید تنگستن بر روی الکترود شفاف اکسیدی و همچنین شیشه نوری با استفاده از روش فروبری در سُل?های پایه آبی و الکلی آماده و سپس در 400 درجه عملیات حرارتی گردیدند. ترشوندگی لایه?های مورد استفاده توسط سُل?های آماده شده نیز با مشاهدات چشمی و تصویربرداری بررسی شد. لایه�های آماده شده با میکروسکوپ الکترونی روبشی، پراش اشعه X و همچنین ولتامتری چرخه�ای در محلول اسیدسولفوریک مورد مطالعه قر...

متن کامل

بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

متن کامل

بهبود حسگری گاز هیدروژن لایه های اکسید تنگستن با استفاده از نانولوله های کربنی چند دیواره

The WO3/MWNTs hybrid gas sensitive films were prepared by spin-coating on alumina substrate. The structure, morphology and chemical composition of the functionalized MWNTs and WO3/MWNTs hybrid films were studied by SEM, TEM, XRD, Raman, DLS and XPS methods. The MWCNT were initially functionalized (f-MWNTs). Dispersion and surface reactivity of MWNTs was improved because of oxygenate groups on M...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
پژوهش فیزیک ایران

جلد ۱۴، شماره ۴، صفحات ۲۳۱-۲۴۰

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023